| 货号 | 产品名称 | 规格 | 包装 | 数量 | 交期 | 备注 |
| N | 4H-SiC N型导电碳化硅单晶片 | SiC（0001） 小切角 13*3*0.33mm | 片 | 10 |
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| N | 4H-SiC N型导电碳化硅单晶片 | SiC（000-1） 小切角 13*3*0.33mm | 片 | 10 |
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| N | 6H-SiC N型导电碳化硅单晶片 | SiC（000-1） 小切角 13*3*0.33mm | 片 | 10 |
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| N | 4H-SiC 碳化硅单晶片 | N型导电<0001>4° 13x3x0.35mm 1sp | 片 | 10 |
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| PMNPT-S10S100 | PMN-PT衬底 | <100> 5*5*0.5mm 2sp | 片 | 10 |
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| PMNPT-S05S100 | PMN-PT衬底 | <100> 10*10*0.5mm 2sp | 片 | 5 |
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| PMNPT-S10S011 | PMN-PT衬底 | <011> 5*5*0.5mm 2sp | 片 | 10 |
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| PMNPT-S05S011 | PMN-PT衬底 | <011> 10*10*0.5mm 2sp | 片 | 5 |
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| PMNPT-S09S011 | PMN-PT衬底 | <011> 10*10*0.3mm 2sp | 片 | 10 |
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| PMNPT-S09S001 | PMN-PT衬底 | <001> 10*10*0.3mm 2sp | 片 | 10 |
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| N | 单晶锗片 | 非掺<100>Dia1"*0.5m 1sp电阻率>35Ω | 片 | 1 |
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| N | 单晶锗片 | 非掺<100>/<110> Dia2"x0.5mm 1sp | 片 | 2 |
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| N | 单晶锗片 P/Ga <100>/<110> | Dia4"x0.5mm 电阻率0.2~0.3Ωcm 1sp | 片 | 1 |
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| N | 单晶锗片 N/Sb <100>/<110> | Dia4"x0.5mm 电阻率0.25~0.46Ωcm 1sp | 片 | 1 |
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| Cu-S10010 | 单晶铜衬底 | <100> 5*5*0.5mm 1sp | 片 | 10 |
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| LaAlO3-S00110 | LaAlO3衬底(铝酸镧) | <001> 5*5*0.5mm 1sp | 片 | 30 |
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| N | 单晶石英片 <0001> | 10*10*1mm 2sp 粗糙度<0.5nm | 片 | 20 |
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| N | 单晶石英片 <0001> | 10*10*1mm 2sp 粗糙度<0.5nm | 片 | 30 |
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| SiO2-F4048 | 石英片 | 40*40*1mm
4cm*4cm 厚度1mm
长宽公差2mm以内 | 片 | 3 |
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| SiO2-F4049 | 石英片 | 15*30*1mm
1.5cm*3cm 厚度1mm
长宽公差1cm以内 | 片 | 50 |
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| N | 石英片 | 10*100*1mm | 片 | 20 |
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| N | 石英片 | 33*100*1mm | 片 | 30 |
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| SiO2-F4015 | 石英片 | 10*10*1mm磨边，表面抛光
外形尺寸公差正负0.2毫米，保护性倒边
透光率百分之八十五左右 | 片 | 20 |
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| SiO2-F4030 | 石英片 | 20*20*1mm磨边，表面抛光
外形尺寸公差正负0.2毫米，保护性倒边
透光率百分之八十五左右 | 片 | 40 |
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| SiO2-F4030 | 石英片 | 20*20*1mm磨边，表面抛光
外形尺寸公差正负0.2毫米，保护性倒边
透光率百分之八十五左右 | 片 | 20 |
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| GYSGG-S11105 | GYSGG衬底(Gd0.63Y2.37Sc2Ga3O12) | <111> 10*10*0.5mm 1sp | 片 | 10 |
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| GYSGG-S11110 | GYSGG衬底(Gd0.63Y2.37Sc2Ga3O12) | <111> 5*5*0.5mm 1sp | 片 | 10 |
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| GSGG-S11105 | GSGG衬底(钆钪镓石榴石Gd3Sc2Ga3O12) | <111> 10*10*0.5mm 1sp | 片 | 10 |
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| GSGG-S11110 | GSGG衬底(钆钪镓石榴石Gd3Sc2Ga3O12) | <111> 5*5*0.5mm 1sp | 片 | 10 |
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| SrTiO3-S11005 | SrTiO3衬底(钛酸锶) | <110> 10*10*0.5mm 1sp | 片 | 10 |
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| SrTiO3-S11110 | SrTiO3衬底(钛酸锶) | <111> 10*10*0.5mm 1sp | 片 | 10 |
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| LaAlO3-S00105 | LaAlO3衬底(铝酸镧) | <001> 10*10*0.5mm 1sp | 片 | 10 |
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| LaAlO3-S11005 | LaAlO3衬底(铝酸镧) | <110> 10*10*0.5mm 1sp | 片 | 10 |
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| LaAlO3-S11105 | LaAlO3衬底(铝酸镧) | <111> 10*10*0.5mm 1sp | 片 | 10 |
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| LSAT-S00105 | LSAT衬底(铝酸锶钽镧) | <001> 10*10*0.5mm 1sp | 片 | 10 |
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| LSAT-S11005 | LSAT衬底(铝酸锶钽镧) | <110> 10*10*0.5mm 1sp | 片 | 10 |
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| LSAT-S11105 | LSAT衬底(铝酸锶钽镧) | <111> 10*10*0.5mm 1sp | 片 | 10 |
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| GGG-S11105 | GGG衬底(钆镓石榴石) | <111> 10*10*0.5mm 1sp | 片 | 10 |
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| GGG-S11110 | GGG衬底(钆镓石榴石) | <111> 5*5*0.5mm 1sp | 片 | 10 |
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| N | GGG衬底(钆镓石榴石) | <111> 5*10*0.5mm 1sp | 片 | 10 |
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| N | 单晶硅片 | 6inch 厚度1mm 平边 单面抛光 低阻1-30ohm | 片 | 100 |
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| Si-I10004D3 | 单晶硅片 100晶向 本征硅 | φ100*0.5mm 单面抛光 电阻率>3000Ω·cm | 片 | 10 |
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| Si-P10006D3 | 单晶硅片 100晶向 P型 | φ100*525±25μm 单面抛光 电阻率8-12Ωcm | 片 | 25 |
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| Si-P10004D1 | 单晶硅片 100晶向 P型 | φ100*0.5mm 单面抛光 电阻率1-10Ωcm | 片 | 10 |
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| Si-P10006D3 | 单晶硅片 100晶向 P型 | φ100*525±25μm 单面抛光 电阻率8-12Ωcm | 片 | 25 |
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| Si-P10004D1 | 单晶硅片 100晶向 P型 | φ100*0.5mm 单面抛光 电阻率1-10Ωcm | 片 | 10 |
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| Si-P10006D3 | 单晶硅片 100晶向 P型 | φ100*525±25μm 单面抛光 电阻率8-12Ωcm | 片 | 25 |
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| Si-P10004S22 | 单晶硅片 100晶向 P型 | φ100*0.5mm 电阻率0.001-0.005Ωcm 氧化层200nm 双面氧化
粗糙度<0.5nm 平整度<3μm | 片 | 10 |
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| Si-N10004D5 | 单晶硅片 100晶向 N型 | φ100*0.5mm 单面抛光 电阻率0.01-0.05Ωcm | 片 | 5 |
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| Si-N10004S6 | 单晶硅片 100晶向 N型 | φ100*0.5mm 双面抛光 电阻率1-5Ωcm | 片 | 25 |
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| Si-N10004D22 | 单晶硅片 100晶向 N型 | φ100*0.5mm 单面氧化层500nm 电阻率0.001-0.005Ωcm | 片 | 50 |
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| Si-N10004D1 | 单晶硅片 100晶向 N型 | φ100*0.5mm 单面抛光 电阻率1-10Ωcm | 片 | 10 |
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| Si-N10004D42 | 单晶硅片 100晶向 N型 | φ100*0.5mm 电阻率0.01-0.1Ωcm 氧化层200nm 单面氧化层 | 片 | 10 |
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| Si-N10004D23 | 单晶硅片 100晶向 N型 | φ100*0.5mm 单面氧化层300nm 电阻率0.001-0.005Ωcm | 片 | 50 |
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| Si-N10004D3 | 单晶硅片 100晶向 N型 | φ100*0.5mm 电阻率0.01~0.05Ω cm 单面抛光 | 片 | 5 |
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| Si-N10001 | 单晶硅片 100晶向 N型 | φ50.8±0.3mm 厚度500±10μm
单面抛光 电阻率1-10Ωcm | 片 | 25 |
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| Si-N10002 | 单晶硅片 100晶向 N型 | φ100*0.5mm 双面氧化层300nm 单面抛光 电阻率0.001-0.005Ωcm | 片 | 25 |
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| Si-N10003 | 单晶硅片 100晶向 N型 | φ100*0.5mm代为切割成8*8*0.5mm 双面氧化层300nm 单面抛光 电阻率0.001-0.005Ωcm 锯片切割 | 片 | 5 |
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| Si-N10003 | 单晶硅片 100晶向 N型 | φ100*0.5mm代为切割成8*8*0.5mm 双面氧化层300nm 单面抛光 电阻率0.001-0.005Ωcm 锯片切割 | 片 | 25 |
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| Si-N10004 | 单晶硅片 100晶向 N型 | φ100*0.5mm 单面氧化层500nm 电阻率0.001-0.005Ωcm | 片 | 25 |
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| Si-I10004 | 单晶硅片 100晶向 本征 | φ150*0.675mm 单面抛光 电阻率>1000Ω㎝ | 片 | 20 |
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| Si-P10001 | 单晶硅片 100晶向 P型 | φ203.2*0.725mm 电阻率0-20Ωcm | 片 | 1 |
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| Si-P10001 | 单晶硅片 100晶向 P型 | φ203.2*0.725mm 电阻率0-20Ωcm | 片 | 5 |
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| Si-P10001 | 单晶硅片 100晶向 P型 | φ203.2*0.725mm 电阻率0-20Ωcm | 片 | 10 |
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| Si-P10002 | 单晶硅片 P型 | 50*50*0.5mm 单面抛光 低阻 1-30 | 片 | 10 |
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| Si-P10003 | 单晶硅片 100晶向 P型 | φ26*1mm 1-10Ω cm 单面抛光
表面光洁度<1nm
直径/+/-0.1mm 厚度0.05不留基准线 | 片 | 30 |
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| Si-P10004 | 单晶硅片 100晶向 P型 | 100晶向 5*5*0.5mm 单面抛光 电阻率0.01-0.05Ω | 片 | 100 |
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