蒂姆新材料

res2-wse2-type-ii-heterojunction-phototransitors-with-integrated-van-der-waals-electrodes-to-achieve论文链接：https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acsaelm.3c00908以下论文中使用的金颗粒、蒸镀用的钨舟为蒂姆（北京）新材料科技有限公司供应，欢迎大家参考实...

Highly sensitive plasmonic sensing based on a topological insulator nanoparticle论文链接：https://pubs.rsc.org/en/content/articlelanding/2023/nr/d3nr04741e注：论文中所用化合物靶材出自蒂姆（北京）新材料科技有限公司。以下为用我司产品进行实验获得实验成...

溅射气压对磁控溅射成膜性能的影响郑建潮   浙江大学信电系在直流磁控溅射过程中, 溅射气压( 工作气压)是一个很重要的参数, 它对溅射速率, 沉积速率以及薄膜的质量都有很大的影响。气体分子从一次碰撞到相邻的下一次碰撞所通过的距离的统计平均值, 称之为平均自由程。从分子的平均自由程的角度来说, 溅射气体压力低时溅射粒子的平均自由程大, 与气体离子的碰撞的几率小, 使沉积速率增大。但是, 溅射气...

SiO2薄膜制备的现行方法综述(1)时间:2009-09-06　　来源:中国计量学院质量与安全工程学院　　编辑:曾其勇　　在导电基体上制作薄膜传感器的过程中，需要在基体与薄膜电极之间沉积一层绝缘膜。二氧化硅薄膜具有良好的绝缘性能，并且稳定性...

磁控溅射制备锗薄膜文献汇总 1.磁控溅射法制备的锗薄膜以及过渡金属掺杂锗薄膜的特性研究作者：王艳燕   单位：延边大学链接：http://cdmd.cnki.com.cn/Article/CDMD-10184-1013321202.htm摘...

1.电子束蒸镀厚SiO2膜的工艺研究文献链接：http://qikan.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=5294110作者：伍晓明 作者单位：清华大学精密仪器系摘要：本文研究了用电子束蒸镀工艺制备用于光波...

直流溅射制备铝薄膜的文献参考：1.直流磁控溅射制备铝薄膜的工艺研究作者：陈国良，郭太良摘要：采用直流磁控溅射方法,以高纯Al为靶材,高纯Ar为溅射气体,在玻璃衬底上成功地制备了铝薄膜,并对铝膜的沉积速率,结构和表面形貌进行了研究.结果表明:...

射频溅射与直流溅射不同工艺制备ITO薄膜文献汇总，ITO薄膜制备，ITO靶材，蒂姆北京新材料，蒂姆新材料，ITO镀膜

磁控溅射制备二氧化钒薄膜的参考文献汇总，VO2薄膜，溅射镀膜，二氧化钒靶材镀膜，二氧化钒薄膜

磁控溅射法ZnO薄膜制备工艺的优化　　用射频磁控溅射制备ZnO 薄膜，研究了溅射功率、溅射气体中氧氩以及工作气压对薄膜结构和光学性能的影响。通过对不同制备条件下的薄膜结构和薄膜的室温透射谱的分析，得到了磁控溅射制备ZnO 薄膜的最佳工艺参数...

MgO/Au复合薄膜的反应射频磁控溅射法制备及表面形貌研究　　采用反应射频磁控溅射法制备MgO/Au 复合薄膜，并对使用Mg 靶和Au 靶共溅射、分步溅射方式以及在不同的衬底温度和Ar /O2气体流量比下制备的样品进行X 射线光电子能谱、X...

Zn掺杂TiO2薄膜紫外探测器及其光电性能研究　　近年来TiO2与ZnO等作为紫外探测材料已引起人们的关注。TiO2是一种禁带宽度较大的半导体材料，其锐钛矿相TiO2带隙约为3.2eV，具有较高的载流子迁移率，能胜任高温和腐蚀性环境，有利于...

多层膜CIA预制层后硒化法制备Cu(In1- xAlx)Se2薄膜的研究　　本文用真空蒸发法在玻璃衬底上蒸镀Cu- In- Al 多层膜，后采用真空硒化退火获得Al 含量不同的Cu(In1- xAlx)Se2多晶薄膜。通过SEM和XRD 微...

衬底对CVD生长石墨烯的影响研究　　石墨烯有独特的结构和优异的性能，在电子、信息、能源、材料和生物医药等领域都有着广阔的应用前景。为了更好的应用这种新型材料，如何大规模可控合成高质量石墨烯是一个必须克服的困难。相比与机械剥离法、化学氧化还原...

王怡    北京石油化工学院数理系　用射频磁控溅射制备ZnO 薄膜，研究了溅射功率、溅射气体中氧氩以及工作气压对薄膜结构和光学性能的影响。通过对不同制备条件下的薄膜结构和薄膜的室温透射谱的分析，得到了磁控溅射制备ZnO 薄膜的最佳工艺参数。...

硅缓冲层提高选区外延生长硅基锗薄膜质量摘要： 研究了Si缓冲层对选区外延Si基Ge薄膜的晶体质量的影响.利用超高真空化学气相沉积系统,结合低温Ge缓冲层和选区外延技术,通过插入Si缓冲层,在Si/SiO2图形衬底上选择性外延生长Ge薄膜.采...

王存涛    山东师范大学物理与电子科学学院利用多靶磁控溅射系统制备了一系列坡莫合金薄膜样品Ta(4nm)/ZnO(t)/Ni81Fe19(20nm)/ZnO(t)/Ta(3nm)，研究了ZnO插层厚度、基片温度对坡莫合金薄膜各向异性磁电阻...

刘俊勇   福州大学材料科学与工程学院以磁控溅射方法沉积TiO2 薄膜和Cu上电极层，制备Cu/TiO2/ITO阻变存储器元件。采用原子力显微镜、X 射线衍射仪、X 射线光电子能谱仪对薄膜材料进行性能表征，测试结果表明：TiO2 薄膜表面平...

康振锋    内蒙古大学物理科学与技术学院采用脉冲激光沉积(PLD)法，在多孔支撑的NiO-YSZ 阳极基底上制备YSZ电解质薄膜。利用XRD、SEM和射频阻抗/ 材料分析仪对多层膜的物相结构、表面形貌以及电学特性等进行表征。实验结果发现，...

综述：磁控溅射制备的ITO薄膜综合性能比电子束蒸发制备的性能优越。摘要：透明导电的氧化铟锡(ITO)薄膜是p型GaN的极佳的欧姆接触材料,在作为GaN欧姆接触材料的应用上,我们希望得到具有高可见光透过率及高导电性的ITO薄膜。ITO薄膜是掺...